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标题:计算机控制扩散炉温度的原理介绍
正文:
扩散炉用作半导体器件和集成电路生产中进行半导体微粒扩散和氧化工艺的设备，是由耐高温石英材料制成的管状电阻加热炉，在其主加热段，电热丝均匀环绕其上，可以完成硼扩散、磷扩散、氧化、退火等半导体材料的实验与生产工艺。 作为本例控制对象的扩散炉，其技术指标列举如下： 硅片规格：4”，6”，8”。 温度控制范围；350一1250℃，瞬时可达1280℃。 恒温区长度及精度：≤±1℃／300一800mm，300-1250℃；≤±0.5℃/300一800mm，800一1250℃。 炉温单点稳定性：≤±1℃/24h，300—1250℃；≤±0.5℃/24h，800—1250℃. 温度重复性：≤±1℃。 升温速率：O—15℃／min(1000℃以下)。 降温透率，0—4℃／mim。 气路：硼扩散、磷扩散各2路质量流量计，氧化／退火管为3路质量流量汁。 净化工作台净化级别：100级(1000级厂房)。 它的工作温度一般为数百度至上千度，要求炉温在一定的控制范围内保温到规定的时间，而且扩散工艺曲线是多台阶的。 目前国内热扩散炉的控制很多仍然采用半导体器件控制，其缺点是：操作人员劳动强度大；不能自动定时；不能自动从一个温控区进入另一个温控区；无
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